Уважаемые авторы и читатели!
Рады вам сообщить, что журнал прошел переаттестацию в Роскомнадзоре.

Наша группа ВКонтакте

УДК 548.0:532.793

У. М. Маллабоев, В. И. Новоселов

Контактная информация
Тюменский индустриальный университет, Тобольский индустриальный институт (филиал),
ул. Зона ВУЗов, 5, 626158 Тобольск, Россия
E-mail: vivnovoselov@yandex.ru

Аннотация
Исследована низкочастотная дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости нематических жидких кристаллов (НЖК) в диапазоне частот (10–10⁵) Гц в температурном интервале, охватывающем нематическую и изотропную фазы. В качестве объектов были выбраны НЖК, как с положительной, так и отрицательной диэлектрической анизотропией: 4-н-амил-4'-н-гексокси α-цианстильбен, 4-цианофениловый эфир 4'-н-октилоксибензойной кислоты, 4-гептилокси-4'-цианостильбен. Представлена принципиальная схема экспериментальной установки для исследования сквозной электропроводности жидкокристаллических веществ. Из экспериментально полученных зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости следует, что у всех НЖК диэлектрическая проницаемость на средних частотах (ωτ < 1) имеет равновесное значение, т. е. ε', ε''(tgδ) практически не зависят от частоты ν. На низких частотах электрического поля (ωτ << 1) наблюдается значительный рост диэлектрической проницаемости ε_эфф. и тангенса угла диэлектрических потерь tgδ. Установлено, что возрастание ε_эфф. и tgδ при низких частотах электрического поля обусловлено влиянием сквозной электропроводности. Изучена зависимость сквозной электропроводности от температуры в нематической и изотропной фазах. Обсуждаются способы исключения вклада сквозной проводимости в комплексную диэлектрическую проницаемость жидких кристаллов на низких частотах.

Ключевые слова: диэлектрическая проницаемость жидких кристаллов, низкочастотная дисперсия, сквозная электропроводность жидких кристаллов